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Detalhes dos produtos

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IGBT módulo de alimentação
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Módulo automotivo de Infineon IGBT, conversores FF1200R12IE5 do módulo do poder superior IGBT

Módulo automotivo de Infineon IGBT, conversores FF1200R12IE5 do módulo do poder superior IGBT

Nome da marca: Infineon
Número do modelo: FF1200R12IE5
MOQ: 1 conjunto
Condições de pagamento: T/T.
Capacidade de abastecimento: 1000sets
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
VCES:
1200V
Nom de IC:
1200A
ICRM:
2400A
Detalhes da embalagem:
Embalagem caixa de madeira
Habilidade da fonte:
1000sets
Destacar:

módulo do igbt do poder superior

,

módulo do igbt do eupec

Descrição do produto

O motor automotivo dos conversores de poder superior FF1200R12IE5 dos módulos de Infineon Technologies IGBT conduz

Aplicações típicas
• Conversores de poder superior
• Movimentações do motor
• Sistemas de UPS


Características elétricas
• Temperatura de funcionamento prolongada Tvj op
• A elevação procura um caminho mais curto a capacidade
• Vigor imbatível
• Tvj op = 175°C
• Trincheira IGBT 5

Características mecânicas
• Pacote com CTI>400
• Densidade de poder superior
• Poder superior e capacidade térmica do ciclismo
• Distâncias altas da dispersão e do afastamento

Inversor de IGBT
Valores avaliados do máximo

tensão do Coletor-emissor Tvj = 25°C VCES 1200 V
Corrente de coletor contínua da C.C. TC = 80°C, Tvj máximo = 175°C Nom de IC 1200 A
Corrente de coletor máxima repetitiva tP = 1 Senhora ICRM 2400 A
tensão máxima do Porta-emissor VGES +/--20 V

Tipo do Min. dos valores característicos. máximo.

tensão de saturação do Coletor-emissor

IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C

IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C

IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 175°C

VCE sentado

1,70

2,00

2,15

2,15

2,45

2,60

VVV
Tensão do ponto inicial da porta IC = 33,0 miliampères, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,25 5,80 6,35 V
Carga da porta VGE = -15 V… +15 V, VCE = 600V QG 5,75 µC
Resistor interno da porta Tvj = 25°C RGint 0,75
Capacidade da entrada f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 65,5 N-F
Capacidade reversa de transferência f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,60 N-F
corrente da interrupção do Coletor-emissor VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C CONGELA 5,0 miliampère
corrente do escapamento do Porta-emissor VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Tempo de atraso de ligação, carga indutiva IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C
TD sobre 0,20
0,23
0,25
µs
µs
µs
Tempo de elevação, carga indutiva IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C
tr 0,16
0,17
0,18
µs
µs
µs
Tempo de atraso da volta-fora, carga indutiva IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C
TD fora 0,48
0,52
0,55
µs
µs
µs
Tempo de queda, carga indutiva IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C
tf 0,08
0,11
0,13
µs
µs
µs
Perda de energia de ligação pelo pulso IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C
Eternidade 80,0
120
160
mJ
mJ
mJ
Perda de energia da volta-fora pelo pulso IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C
Eoff 130
160
180
mJ
mJ
mJ
Dados do SC ≤ 15 V DE VGE, VCC = 900 V
VCEmax = VCES - LsCE ·µs do ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 175°C
ISC 4000 A
Resistência térmica, junção ao caso IGBT/per IGBT RthJC 28,7 K/kW
Resistência térmica, caso ao dissipador de calor IGBT/per IGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH 22,1 K/kW
Temperatura sob circunstâncias do interruptor Tvj op -40 175 °C

Módulo automotivo de Infineon IGBT, conversores FF1200R12IE5 do módulo do poder superior IGBT 0