Lugar de origem: | China |
Marca: | Infineon |
Número do modelo: | FF1200R12IE5 |
Quantidade de ordem mínima: | 1 conjunto |
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Detalhes da embalagem: | Embalagem caixa de madeira |
Tempo de entrega: | 25 dias após ter assinado o contrato |
Termos de pagamento: | T/T. |
Habilidade da fonte: | 1000sets |
VCES: | 1200V | Nom de IC: | 1200A |
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ICRM: | 2400A | ||
Realçar: | módulo do igbt do poder superior,módulo do igbt do eupec |
O motor automotivo dos conversores de poder superior FF1200R12IE5 dos módulos de Infineon Technologies IGBT conduz
Aplicações típicas
• Conversores de poder superior
• Movimentações do motor
• Sistemas de UPS
Características elétricas
• Temperatura de funcionamento prolongada Tvj op
• A elevação procura um caminho mais curto a capacidade
• Vigor imbatível
• Tvj op = 175°C
• Trincheira IGBT 5
Características mecânicas
• Pacote com CTI>400
• Densidade de poder superior
• Poder superior e capacidade térmica do ciclismo
• Distâncias altas da dispersão e do afastamento
Inversor de IGBT
Valores avaliados do máximo
tensão do Coletor-emissor | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
Corrente de coletor contínua da C.C. | TC = 80°C, Tvj máximo = 175°C | Nom de IC | 1200 | A |
Corrente de coletor máxima repetitiva | tP = 1 Senhora | ICRM | 2400 | A |
tensão máxima do Porta-emissor | VGES | +/--20 | V |
Tipo do Min. dos valores característicos. máximo.
tensão de saturação do Coletor-emissor |
IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 175°C |
VCE sentado |
1,70 2,00 2,15 |
2,15 2,45 2,60 |
VVV | |
Tensão do ponto inicial da porta | IC = 33,0 miliampères, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,25 | 5,80 | 6,35 | V |
Carga da porta | VGE = -15 V… +15 V, VCE = 600V | QG | 5,75 | µC | ||
Resistor interno da porta | Tvj = 25°C | RGint | 0,75 | Ω | ||
Capacidade da entrada | f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 65,5 | N-F | ||
Capacidade reversa de transferência | f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 2,60 | N-F | ||
corrente da interrupção do Coletor-emissor | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C | CONGELA | 5,0 | miliampère | ||
corrente do escapamento do Porta-emissor | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C | IGES | 400 | nA | ||
Tempo de atraso de ligação, carga indutiva | IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C |
TD sobre | 0,20 0,23 0,25 |
µs µs µs |
||
Tempo de elevação, carga indutiva | IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C |
tr | 0,16 0,17 0,18 |
µs µs µs |
||
Tempo de atraso da volta-fora, carga indutiva | IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C |
TD fora | 0,48 0,52 0,55 |
µs µs µs |
||
Tempo de queda, carga indutiva | IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C |
tf | 0,08 0,11 0,13 |
µs µs µs |
||
Perda de energia de ligação pelo pulso | IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C |
Eternidade | 80,0 120 160 |
mJ mJ mJ |
||
Perda de energia da volta-fora pelo pulso | IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C |
Eoff | 130 160 180 |
mJ mJ mJ |
||
Dados do SC | ≤ 15 V DE VGE, VCC = 900 V VCEmax = VCES - LsCE ·µs do ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 175°C |
ISC | 4000 | A | ||
Resistência térmica, junção ao caso | IGBT/per IGBT | RthJC | 28,7 | K/kW | ||
Resistência térmica, caso ao dissipador de calor | IGBT/per IGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) |
RthCH | 22,1 | K/kW | ||
Temperatura sob circunstâncias do interruptor | Tvj op | -40 | 175 | °C |
Pessoa de Contato: Ms. Biona
Telefone: 86-755-82861683
Fax: 86-755-83989939
Carvão sobressalentes alimentador principal, placa CPU 9224 / CS2024 / EG24 (placa de Micro)