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| Lugar de origem: | China |
| Marca: | Infineon |
| Número do modelo: | FF200R12KT4 |
| Quantidade de ordem mínima: | 1 conjunto |
|---|---|
| Detalhes da embalagem: | Embalagem caixa de madeira |
| Tempo de entrega: | 25 dias após ter assinado o contrato |
| Termos de pagamento: | T/T. |
| Habilidade da fonte: | 1000sets |
| VCES: | 1200V | Nom IC de IC: | 200A |
|---|---|---|---|
| IC: | 320A | ICRM: | 400A |
| Realçar: | módulo do igbt do poder superior,igbt automotivo |
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série C da metade-ponte 62mm 1200 V, módulo de movimentação duplo do poder dos módulos FF200R12KT4 do inversor IGBT
Valores avaliados do máximo
| tensão do Coletor-emissor | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
| Corrente de coletor contínua da C.C. | TC = 100°C, Tvj máximo = 175°C TC = 25°C, Tvj máximo = 175°C |
Nom de IC IC |
200 320 |
A A |
| Corrente de coletor máxima repetitiva | tP = 1 Senhora | ICRM | 400 | A |
| Dissipação de poder total |
TC = 25°C, Tvj máximo = 175°C |
Ptot | 1100 | W |
| tensão máxima do Porta-emissor | VGES | +/--20 | V |
Valores característicos
| tensão de saturação do Coletor-emissor |
IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C |
VCE sentado | 1,75 2,05 2,10 |
2,15 | V VV |
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| Tensão do ponto inicial da porta | IC = 7,60 miliampères, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,2 | 5,8 | 6,4 | V |
| Carga da porta | VGE = -15 V… +15 V | QG | 1,80 | µC | ||
| Resistor interno da porta | Tvj = 25°C | RGint | 3,8 | Ω | ||
| Capacidade da entrada | f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 14,0 | N-F | ||
| Capacidade reversa de transferência | f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 0,50 | N-F | ||
| corrente da interrupção do Coletor-emissor | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C | CONGELA | 5,0 | miliampère | ||
| corrente do escapamento do Porta-emissor | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C | IGES | 400 | nA | ||
| Tempo de atraso de ligação, carga indutiva | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
TD sobre | 0,16 0,17 0,18 |
µs µs µs |
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| Tempo de elevação, carga indutiva | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
tr | 0.045 0,04 0,50 |
µs µs µs |
||
| Tempo de atraso da volta-fora, carga indutiva | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
TD fora | 0,45 0,52 0,54 |
µs µs µs |
||
| Tempo de queda, carga indutiva | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
tf | 0,10 0,16 0,16 |
µs µs µs |
||
| Perda de energia de ligação pelo pulso | IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
Eternidade | 10,0 15,0 17,0 |
19,0 30,0 36,0 |
||
| Perda de energia da volta-fora pelo pulso | IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
Eoff | 14,0 20,0 23,0 |
mJ mJ mJ |
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| Dados do SC | ≤ 15 V DE VGE, VCC = 900 V VCEmax = VCES - LsCE ·µs do ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C |
ISC | 800 | mJ mJ mJ |
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| Resistência térmica, junção ao caso | IGBT/por IGBT | RthJC | 0.135 | K/W | ||
| Resistência térmica, dissipador de calor do caseto | CADA IGBT/por IGBT λPaste = 1 com (m·K)/λgrease = 1 com (m·K) |
RthCH | 0.034 | K/W | ||
| Temperatura sob circunstâncias do interruptor | Tvj op | -40 | 150 |
°C
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Pessoa de Contato: Ms. Biona
Telefone: 86-755-83014873
Fax: 86-755-83047632
Carvão sobressalentes alimentador principal, placa CPU 9224 / CS2024 / EG24 (placa de Micro)
