Name: O módulo de poder FF50R12RT4 de Infineon IGBT 34mm 1200V Dual IGBT com trincheira rápida/Fieldstop
Brand: Infineon
SKU: FF50R12RT4
Rating: 4.5 (148 reviews)

Casa Produtos IGBT módulo de alimentação

O módulo de poder FF50R12RT4 de Infineon IGBT 34mm 1200V Dual IGBT com trincheira rápida/Fieldstop

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	China
Marca:	Infineon
Número do modelo:	FF50R12RT4

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1 conjunto
Detalhes da embalagem:	Embalagem caixa de madeira
Tempo de entrega:	25 dias após ter assinado o contrato
Termos de pagamento:	T/T.
Habilidade da fonte:	1000sets

Contato

Descrição de produto detalhada

VCES:	1200V	Nom de IC:	50A
ICRM:	100A	Aplicações:	Movimentações do motor
Características elétricas:	Baixas perdas do interruptor
Realçar:	módulo do igbt do poder superior , igbt automotivo

Infineon FF50R12RT4 34 milímetros conhecidos 1200V dual os módulos de IGBT com trincheira/fieldstop IGBT4 e o emissor rápidos controlado

Aplicações típicas

• Conversores de poder superior

• Movimentações do motor

• Sistemas de UPS

Características elétricas

• Temperatura prolongada Tvj da operação op

• Baixas perdas do interruptor

• Baixo VCEsat

• Tvj op = 150°C

• VCEsat com coeficiente de temperatura positivo

Características mecânicas

• Placa de base isolada

• Alojamento padrão

IGBT, inversor

Valores avaliados do máximo

tensão do Coletor-emissor	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
Corrente de coletor contínua da C.C.	TC = 100°C, Tvj máximo = 175°C	Nom de IC	50	A
Corrente de coletor máxima repetitiva	tP = 1 Senhora	ICRM	100	A
Dissipação de poder total	TC = 25°C, Tvj máximo = 175°C	Ptot	285	W
tensão máxima do Porta-emissor		VGES	+/--20	V

Valores característicos

tensão de saturação do Coletor-emissor	IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C	VCE sentado		1,85 2,15 2,25	2,15	V VV
Tensão do ponto inicial da porta	IC = 1,60 miliampères, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,2	5,8	6,4	V
Carga da porta	VGE = -15 V… +15 V	QG		0,38		µC
Resistor interno da porta	Tvj = 25°C	RGint		4,0		Ω
Capacidade da entrada	f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		2,80		N-F
Capacidade reversa de transferência	f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		0,10		N-F
corrente da interrupção do Coletor-emissor	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C	CONGELA			1,0	miliampère
corrente do escapamento do Porta-emissor	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C	IGES			100	nA
Tempo de atraso de ligação, carga indutiva	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	TD sobre		0,13 0,15 0,15		µs µs µs
Tempo de elevação, carga indutiva	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	tr		0,02 0,03 0.035		µs µs µs
Tempo de atraso da volta-fora, carga indutiva	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	TD fora		0,30 0,38 0,40		µs µs µs
Tempo de queda, carga indutiva	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	tf		0.045 0,08 0,09		µs µs µs
Perda de energia de ligação pelo pulso	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	Eternidade		4,50 6,50 7,50		19,0 30,0 36,0
Perda de energia da volta-fora pelo pulso	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	Eoff		2,50 4,00 4,50		mJ mJ mJ
Dados do SC	≤ 15 V DE VGE, VCC = 800 V VCEmax = VCES - LsCE ·µs do ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C	ISC		180		mJ mJ mJ
Resistência térmica, junção ao caso	IGBT/por IGBT	RthJC			0,53	K/W
Resistência térmica, dissipador de calor do caseto	CADA IGBT/por IGBT λPaste = 1 com (m·K)/λgrease = 1 com (m·K)	RthCH		0.082		K/W
Temperatura sob circunstâncias do interruptor		Tvj op	-40		150	°C